中國集成電路材料現狀如何？靶材是薄膜制備的關(guān)鍵原料之一，半導體在靶材應用中約占10%。2016年靶材市場(chǎng)增速達到20%，2017年-2019年仍將保持復合增速13%，到2018年大部分國家靶材市場(chǎng)空間達到983億元，超越大部分國家金屬鈷和碳酸鋰合計941億元的市場(chǎng)，未來(lái)潛力巨大。高純金和高純銀因具有接觸電阻小，熱阻低，熱效應力小和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，其靶材材料廣泛應用于背面金屬化系統、汽車(chē)工業(yè)、高溫材料和生物醫學(xué)中。“半導體器件用鎳鉑靶材的制備關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”取得重大打破，建立了生產(chǎn)線(xiàn)并取得良好經(jīng)濟效益，鎳鉑靶材替代了****產(chǎn)品并遠銷(xiāo)海外。國內靶材等半導體材料的帶領(lǐng)者企業(yè)，實(shí)現了高純金屬、靶材一體化運營(yíng)，在高純金屬、銅靶材、鈷靶材等產(chǎn)品上實(shí)現了技術(shù)打破。并成功進(jìn)入到國外集成電路企業(yè)的供應鏈。       用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。濺射現象于1870年開(kāi)始用于鍍膜技術(shù)，1930年以后由于提高了沉積速率而逐漸用于工業(yè)生產(chǎn)。常用的二極濺射設備如圖3[二極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料制成板材──靶,固定在陰極上?；糜谡龑Π忻娴年?yáng)極上,距靶幾厘米。系統抽至高真空后充入 10~1帕的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽(yáng)極間加幾千伏電壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱(chēng)為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點(diǎn)的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質(zhì)。       濺射化合物膜可用反應濺射法，即將反應氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發(fā)生反應生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。沉積絕緣膜可采用高頻濺射法?；b在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò )和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源后，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由于電子遷移率高于正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，靶處于負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續進(jìn)行。采用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個(gè)數量級。       根據形狀可分為長(cháng)靶，方靶，圓靶，異型靶根據成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材根據應用不同又分為半導體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等根據應用領(lǐng)域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貨品靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材高純靶材。       近年來(lái)，中國大陸漸漸有些觸控面板廠(chǎng)商開(kāi)始采用了非日東的大陸本土ITO薄膜產(chǎn)品，這些ITO薄膜價(jià)格非常便宜，能夠滿(mǎn)足大陸觸控面板廠(chǎng)商的成本考量，即便會(huì )有觸控靈敏度較差的問(wèn)題，但只要由大陸觸控面板廠(chǎng)事先直接向客戶(hù)說(shuō)明，在客戶(hù)能夠接受的前提下，低價(jià)化的薄膜觸控面板仍有市場(chǎng)。其它非日東觸控ITO薄膜廠(chǎng)商近來(lái)接單量也大增，主要則是因為日東與蘋(píng)果合作(推測可能在技術(shù)、****、產(chǎn)能有整體化合作)后，產(chǎn)能吃緊，進(jìn)而使對外供貨的數量銳減，許多觸控面板廠(chǎng)商無(wú)法向日東拿到足夠的ITO薄膜，為了滿(mǎn)足各自客戶(hù)需求、沖刺旺季出貨量，于是趕緊轉向其他非日東觸控ITO薄膜廠(chǎng)商進(jìn)料?；旧?，日東的ITO薄膜因為品質(zhì)穩定度高、價(jià)格是比較貴。如果非日東廠(chǎng)商的ITO薄膜、價(jià)格與日東沒(méi)差多少，等到日東產(chǎn)能又擴大對外釋出時(shí)。相對可能就會(huì )面臨較大的訂單流失壓力。       半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應用領(lǐng)域之一，也是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來(lái)講，半導體芯片的制作過(guò)程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是半導體、顯示面板等的關(guān)鍵核心材料，國內總需求占比超30%，但可自主生產(chǎn)的市場(chǎng)規模不足2%。伴隨高等制造業(yè)向國內轉移趨勢，國產(chǎn)替代空間明顯。隨著(zhù)半導體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來(lái)越高，單位面積單晶硅片集成器件數呈指數級增長(cháng)，主流的硅片尺寸已從12英寸（300mm）逐漸邁向18英寸（450mm）或者更高，國內ITO導電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進(jìn)入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域較早，不僅具有上游原料優(yōu)勢。